美光科技计划在今年年底前将HBM月产能大幅提升至约10万片晶圆，较去年接近翻倍，以此缩小与SK海力士和三星电子的产能差距。公司正加速量产面向英伟达“Vera Rubin”架构的HBM4 12层产品，预计其产能占比将在年底提升至50%，力图打破当前18%市场份额的偏后格局。
美光科技正大举扩张高带宽内存（HBM）生产能力，剑指全球AI内存市场更大份额。
据韩联社4日援引业内知情人士透露，美光计划在今年年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年增幅接近一倍，届时与三星电子和SK海力士之间的产能差距有望缩小至目前的一半左右。与此同时，该公司正加速推进最新一代HBM4 12层产品的量产爬坡，以匹配英伟达新一代AI加速器的需求。
这一动向折射出AI内存市场需求持续旺盛的底色。以英伟达为代表的AI芯片厂商对HBM的需求居高不下，供给仍追赶不上需求节奏。对于市场份额仅18%、长期位居第三的美光而言，此轮产能扩张既是争夺市场地位的关键一役，也是将AI内存需求红利转化为实际营收的必要之举。
产能目标：年底前月产能冲击10万片
据业内知情人士向媒体透露，美光计划在今年年底前新增最多月6万片晶圆的HBM产能。去年该公司HBM月产量约为4至5万片，这意味着新增产能将超过原有基数，总产能规模有望达到约月10万片。
为实现上述目标，美光正向多家HBM制造设备供应商增加采购订单，相关设备持续运入其中国台湾和新加坡工厂。目前，美光HBM封装业务主要在中国台湾铜锣厂和新加坡兀兰厂推进，日本广岛工厂的设备投资也在筹备之中。
在产品结构上，美光正快速向HBM4 12层倾斜。目前其HBM产量仍以HBM3E 12层为主，但据悉HBM4 12层的占比将从今年初的20%至30%，提升至年底的最高50%。
HBM4 12层是英伟达最新AI加速器"Vera Rubin"的配套内存，美光已于今年第二季度启动该产品量产。美光CEO Sanjay Mehrotra在今年6月的2026财年第三季度业绩发布会上表示，HBM4 12层的量产爬坡速度约为HBM3E 12层的两倍，HBM4累计出货收入已突破10亿美元。
市场格局：三强差距或显著收窄
尽管美光是全球三大HBM制造商之一，但其产能与三星电子、SK海力士相比仍存在明显差距。业内普遍认为，三星和SK海力士各自的HBM月产能约为15至20万片，分别是美光的3至4倍。若美光无法缩小这一差距，将难以改变长期位居第三的市场格局。
根据市场调研机构Counterpoint Research数据，今年第二季度全球HBM市场份额中，SK海力士以50%位居首位，三星电子占32%，美光占18%。若产能扩张目标如期实现，美光与两大竞争对手之间的产能差距有望压缩至目前的一半水平，市场份额的重新分配或将随之而来。
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