2026 年 9 月，美国存储芯片初创 Kepler Computing 在成立 7 年后正式走出隐身模式，同时宣布完成累计 4.68 亿美元融资，CEO 德博・奥拉塞比坎（Debo Olaosebikan）在社交媒体上宣布了这一消息。
参投名单上，格芯（GlobalFoundries）、英特尔资本、AMD 风投、Baillie Gifford 以及 Gates Frontier 等知名机构赫然在列。两个月前，美国商务部还依据“芯片法案”签署意向书，拟向 Kepler 提供最高 2.45 亿美元资金。
一家尚未公开产品的初创，仅宣称要将存储和逻辑芯片的制造推向物理极限，就同时被芯片设计商、制造商、主权资金和顶级资本押下重注，它的底气何在？
从英特尔实验室走出的技术
Kepler 专注于用铁电材料和 3D 堆叠架构，开发面向 AI 的新型高带宽存储。其技术和管理积累来自一支资深半导体队伍，创始成员几乎都有突破性半导体技术的研发经验。
CEO 德博在康奈尔大学（Cornell University）取得物理学博士学位，曾参与建成世界首个电激活硅激光器。他一度离开硬件研究，创办按需软件开发平台 Gigster，2018 年回归芯片领域，联合创办 Kepler，同时兼任美国商务部半导体行业顾问委员会成员。
CTO 萨西・马尼帕特鲁尼（Sasi Manipatruni）的工作构成了 Kepler 的技术基础。他曾任英特尔功能电子集成与制造（FEINMAN）研究中心创始主任。2018 年，他主导开发的磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件发表于《自然》（Nature），被认为是“可能带领计算超越半导体时代”的突破。
Kepler 的首席科学官拉马穆尔蒂・拉梅什（Ramamoorthy Ramesh）是这项研究的另一位核心合作者。他在 2001 年首次发现多铁性材料，后续主导解决了铁电材料“疲劳”这一困扰学界数十年的经典难题。
工业量产经验方面，联合创始人拉吉夫・多卡尼亚（Rajeev Dokania）曾主导定义英特尔 Foveros 3D 芯片堆叠技术的架构，这项技术已用于英特尔多款处理器产品。他将在 Kepler 继续开发 3D 堆叠方案。
另一位联创拉尔斯・海内克（Lars Heineck）领导过 7 代动态随机存取存储器（DRAM）的量产，并主持过业界首批 232 层 3D NAND 闪存的规模化生产。安通・多米奇（Antun Domic）则是电子设计自动化（EDA）领域的先驱、新思科技（Synopsys）前 CTO。
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