北方华创一招两步刻蚀，给长鑫指了条活路

据新浪财经报道，2026年9月5日，北方华创在IEEE期刊发了篇论文，宣布在3D DRAM刻蚀工艺上取得重大突破。

该公司开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望帮助长鑫存储绕过EUV光刻机封锁，推进3D DRAM自主量产。

3D DRAM到底是个啥

要理解这个突破有多重要，得先搞明白3D DRAM是什么。

传统DRAM跟盖平房似的，存储单元铺在一个平面上，要提升容量就得把每个单元越做越小，从14nm到10nm到7nm到5nm，一路缩下去。

但缩到最后，原子就那么大，这就是平面DRAM的物理极限，也是为什么最先进的DRAM必须用EUV光刻机——不用EUV，你根本刻不出那么小的结构。

3D DRAM的思路就完全不一样了：平房盖不了那么小，那就盖楼房。把存储单元一层一层往上堆，垂直堆叠，跟3D NAND闪存一个路数。

这样一来，平面尺寸不用缩那么小，用现有的DUV光刻机就能搞定，容量靠堆层数来提升。

这就是为什么说北方华创的突破能"绕开EUV"——不是EUV不重要了，而是3D DRAM这条路，从根上就不那么依赖极先进的光刻制程了。