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长鑫科技再创新高。核心驱动因素是：AI驱动的DRAM景气周期延续；国产替代加速，长鑫市占率持续提升；同时主要原厂产能向HBM倾斜，传统DRAM新增产能有限，而长鑫产能扩张超预期，预计到2026年底相较2025年底新增产能8.5万片/月，是三星和海力士同期新增产能总和的4.25倍。
长鑫科技市值再次突破4万亿元，登顶A股"市值一哥"，同时超越港股腾讯，这背后是AI驱动的DRAM景气周期、国产替代加速与产能扩张三重逻辑的共振——而分析师认为，这场行情远未到终点。
8月17日，长鑫科技收涨12%，股价创新高，总市值再次突破4万亿元，约为昔日“股王”贵州茅台总市值的2.5倍。
华创证券首次覆盖给予"强推"评级，目标价72.97元；国盛证券首次覆盖给予"买入"评级。两家机构均指出，公司正处于国产替代、AI算力扩张与存储周期上行和产能扩张三重共振阶段，成长确定性显著强化。
国产替代加速：全球第四，市占率持续提升
在全球DRAM市场高度集中的格局中，长鑫科技正以较快速度扩大份额。
据Omdia数据，以出货量及销售额口径计，长鑫科技为国内第一、全球第四大DRAM厂商，2026年一季度全球市占率约为7.7%，较此前进一步提升。
公司自2016年成立以来，采取"跳代研发"技术路线，跳过部分中间节点，从18nm级G3工艺直接推进至16nm级G4工艺，先后实现第一代至第四代工艺平台量产，完成DDR4、LPDDR4X向DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代全覆盖。
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